LIGHT DETECTING DEVICE

To provide a light detecting device improved in the accuracy of light detection.SOLUTION: A light detecting device 1 is equipped with a semiconductor substrate 20, a plurality of pad electrodes 42, and a plurality of wiring portions 43. The semiconductor substrate 20 includes first and second main s...

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Hauptverfasser: NISHIO FUMITAKA, SONOBE HIRONORI, MAEKITA KAZUAKI, OKAZAKI YUJI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a light detecting device improved in the accuracy of light detection.SOLUTION: A light detecting device 1 is equipped with a semiconductor substrate 20, a plurality of pad electrodes 42, and a plurality of wiring portions 43. The semiconductor substrate 20 includes first and second main surfaces opposite to each other. The semiconductor substrate 20 has a plurality of cells 22. Each of the plurality of cells 22 includes at least one avalanche photodiode 23. The plurality of pad electrodes 42 is separated from the plurality of cells 22 and is disposed on a first main surface 20a. The plurality of wiring portions 43 is disposed on the first main surface 20a. The plurality of wiring portions 43 corresponds the cells 22 and the pad electrodes 42 respectively corresponding. The semiconductor substrate 20 has a peripheral carrier absorbing portion 24 that absorbs a carrier positioned on a periphery. The peripheral carrier absorbing portion 24 is provided around each pad electrode 42 and each wiring portion 43, when viewed from a direction orthogonal to the first main surface 20a.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】光検出の精度が向上された光検出装置を提供する。【解決手段】光検出装置1は、半導体基板20と、複数のパッド電極42と、複数の配線部43とを備える。半導体基板20は、互いに対向する第一及び第二主面を含む。半導体基板20は、複数のセル22を有する。複数のセル22の各々は、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード23を含む。複数のパッド電極42は、複数のセル22から離間して第一主面20aに配置されている。複数の配線部43は、第一主面20aに配置されている。複数の配線部43は、互いに対応するセル22とパッド電極42とを接続する。半導体基板20は、周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部24を有する。周辺キャリア吸収部24は、第一主面20aに直交する方向から見て、各パッド電極42及び各配線部43の周囲に設けられている。【選択図】図3