MANUFACTURING METHOD OF TRENCH GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a technique that detects the presence of an abnormal electrode part on the basis of characteristics of a trench gate type semiconductor device.SOLUTION: A manufacturing method of a trench gate type semiconductor device includes the steps of: preparing a semiconductor substrate in which a trench is provided on the upper surface, the inner surface of the trench is covered with a gate insulating film, and a gate electrode is arranged in the trench; forming an interlayer insulating film covering the upper surface of the gate electrode and the upper surface of the semiconductor substrate; forming a contact hole at the bottom of the interlayer insulating film to expose the upper surface of the semiconductor substrate; forming a first metal layer covering the inner surface of the contact hole and the upper surface of the interlayer insulating film; and forming a second metal layer made of a metal different from the first metal layer, containing at least one of sodium ions and hydrogen ions, and containing nickel on the upper surface of the first metal layer by sputtering.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】 トレンチゲート型半導体装置の特性により電極異常部の存在を検出する技術を提案する。【解決手段】 トレンチゲート型半導体装置の製造方法は、上面にトレンチが設けられており、トレンチの内面がゲート絶縁膜に覆われており、トレンチ内にゲート電極が配置された半導体基板を準備する工程と、ゲート電極の上面と半導体基板の上面を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に底部に半導体基板の上面が露出するコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホールの内面と層間絶縁膜の上面を覆う第１金属層を形成する工程と、第１金属層の上面に、第１金属層とは異なる金属により構成されており、ナトリウムイオンと水素イオンの少なくとも一方を含有し、ニッケルを含有する第２金属層をスパッタリングによって形成する工程を有する。【選択図】図６