SUBSTRATE SUPPORT IN MILLISECOND ANNEAL SYSTEM
To provide a system and a method for substrate support in a millisecond anneal system.SOLUTION: A millisecond anneal system 80 includes a processing chamber 200 having a wafer support plate 214, a plurality of support pins 212 which extends from the wafer support plate. The support pins is configure...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | To provide a system and a method for substrate support in a millisecond anneal system.SOLUTION: A millisecond anneal system 80 includes a processing chamber 200 having a wafer support plate 214, a plurality of support pins 212 which extends from the wafer support plate. The support pins is configured so as to support a semiconductor substrate 60. At least one of the support pins has a spherical surface profile to adapt a varying angle of a substrate surface normal at a point of contact with the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】ミリ秒アニールシステムにおける基板支持のためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】ミリ秒アニールシステム80は、ウェハ支持プレート214と、そのウェハ支持プレートから延びる複数の支持ピン212と、を有しているプロセスチャンバ200を含む。半導体基板60を支持するように支持ピンを構成し、支持ピンのうちの少なくとも1つは、基板との接触点における基板面法線の変化する角度に適応するための球状表面プロフィールを有する。【選択図】図4 |
---|