SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a silicon carbide semiconductor device which can have a barrier metal prevented from cracking, and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device.SOLUTION: A gate electrode 9 has a recess 9a formed in its upper surface owing to etching-back of polysilicon for forming the gate electrode 9. An inter-layer insulation film 11 has a recess 11a formed in an upper surface 11c at a part facing the recess 9a of the upper surface of the gate electrode 9 in a depth direction. A barrier metal 13 is formed by stacking first to fourth metal films 31 to 34 in order. The first metal film 31 is a titanium nitride film covering a surface of the inter-layer insulation film 11. The first metal film 31 is provided with an opening part 35 exposing the recess 11a of the upper surface 11c of the inter-layer insulating film 11. The second metal film 32 is a titanium film which covers the first metal film 31 and a source electrode 14, and comes into contact with the inter-layer insulating film 11 at the opening part 35 of the first metal film 31. The third and fourth metal films 33, 34 are a titanium nitride film and a titanium film, respectively.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】バリアメタルのクラックを防止することができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート電極９の上面には、ゲート電極９を形成するためのポリシリコンのエッチバックによって凹み９ａが生じている。層間絶縁膜１１の上面１１ｃには、ゲート電極９の上面の凹み９ａに深さ方向に対向する部分に凹み１１ａが生じている。バリアメタル１３は、第１〜４金属膜３１〜３４を順に積層してなる。第１金属膜３１は、層間絶縁膜１１の表面を覆う窒化チタン膜である。第１金属膜３１には、層間絶縁膜１１の上面１１ｃの凹み１１ａを露出する開口部３５が設けられている。第２金属膜３２は、第１金属膜３１およびソース電極１４を覆い、第１金属膜３１の開口部３５において層間絶縁膜１１に接するチタン膜である。第３，４金属膜３３，３４は、それぞれ窒化チタン膜およびチタン膜である。【選択図】図１