PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, capable of reducing plasma damage to a chamber wall and the like while maintaining a required plasma processing effect.SOLUTION: The plasma processing method includes: disposing a to-be-processed substrate in a region away from a microwave plasma generation region in a chamber; making pressure in the chamber 1 Torr or more; introducing microwaves from a microwave plasma source into the chamber; generating microwave plasma by introducing a processing gas containing a reducing gas; diffusing active species from the microwave plasma in the microwave plasma generation region to the to-be-processed substrate; applying high frequency power to the to-be-processed substrate to generate cathode-coupled plasma near the to-be-processed substrate; and attracting ions near the substrate to the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】必要なプラズマ処理効果を維持しつつ、チャンバー壁部等へのプラズマダメージを低減することができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理方法は、被処理基板をチャンバー内のマイクロ波プラズマ生成領域から離れた領域に配置することと、チャンバー内の圧力を１Ｔｏｒｒ以上にすることと、チャンバー内にマイクロ波プラズマ源からマイクロ波を導入するとともに、還元性ガスを含む処理ガスを導入してマイクロ波プラズマを生成し、マイクロ波プラズマ生成領域のマイクロ波プラズマから活性種を被処理基板側に拡散させることと、被処理基板に高周波電力を印加して被処理基板近傍にカソードカップリングプラズマを生成し、基板近傍のイオンを基板に引き込むこととを有する。【選択図】図２