METHOD OF PROCESSING WAFER

To prevent a device from being damaged by cracks generated when trimming a chamfering portion of a wafer.SOLUTION: A method of processing a wafer is provided, the method comprising: a trimming step in which a blade 613 is caused to cut into a chamfering portion Wd from a surface Wa of a wafer W to a depth reaching a finished thickness L1 and is cut along the outer peripheral edge to remove the chamfering portion Wd; and after the performance of the trimming step, a grinding step of grinding the back surface Wb of the wafer to reduce the thickness to the finished thickness L1. Before the performance of the trimming step, the method further comprises a laser processing step in which an annular modified region M is formed extending from the wafer surface Wa to a cutting depth of the blade 613 by irradiating the wafer W with a laser beam of a wavelength having transmissivity along the outer peripheral edge, in an outer peripheral surplus area Wa2 and on the inside of the wafer from a position Y2 where the blade 613 is caused to cut into in the trimming step. Thereby, extension of cracks generated in the trimming step to a device region Wa1 is to be stopped by the annular modified region M.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】ウェーハの面取り部をトリミングする際に発生するクラックによりデバイスが損傷しないようにする。【解決手段】ウェーハＷの表面Ｗａから面取り部Ｗｄにブレード６１３を仕上げ厚みＬ１に至る深さへと切り込ませるとともに外周縁に沿って切削し面取り部Ｗｄを除去するトリミングステップと、トリミングステップ実施後、ウェーハ裏面Ｗｂを研削して仕上げ厚みＬ１へと薄化する研削ステップと、を備え、トリミングステップ実施前に、外周余剰領域Ｗａ２で且つトリミングステップでブレード６１３を切り込ませる位置Ｙ２よりもウェーハ内側でウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザビームを外周縁に沿って照射してウェーハ表面Ｗａからブレード６１３の切り込み深さに至る環状改質領域Ｍを形成するレーザ加工ステップと、を更に備え、トリミングステップで発生したクラックがデバイス領域Ｗａ１に伸長することを環状改質領域Ｍでせき止めるウェーハの加工方法。【選択図】図８