METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, with which it is possible to suppress occurrence of alignment deviation.SOLUTION: A first trench is formed on a first principal surface by performing anisotropic etching on a third impurity region and a second impurity region using a mask. A fourth impurity region, which is in contact with a first impurity region and has a second conductivity type, is formed by performing ion implantation on the first trench using a mask. A second trench is formed by extending the first trench through performing thermal etching in an atmosphere containing a halogen gas on the third impurity region, the second impurity region, the first region, and the fourth impurity region. The second trench has a side surface continuing to the first principal surface, and a bottom located at the fourth impurity region. An angle formed by the first principal surface and the side surface is larger than 90°.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】アライメントずれの発生を抑制可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】マスクを用いて、第３不純物領域と、第２不純物領域とに対して異方性エッチングを行うことにより、第１主面に第１トレンチが形成される。マスクを用いて、第１トレンチに対してイオン注入を行うことにより、第１不純物領域に接しかつ第２導電型を有する第４不純物領域が形成される。第３不純物領域と、第２不純物領域と、第１領域と、第４不純物領域とに対して、ハロゲンガスを含む雰囲気で熱エッチングを行うことにより、第１トレンチを拡張して第２トレンチが形成される。第２トレンチは、第１主面に連なる側面と、第４不純物領域に位置する底とを有している。第１主面と側面とがなす角度は、９０°よりも大きい。【選択図】図１