FILM DEPOSITION APPARATUS, FILM DEPOSITION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

To appropriately acquire the pressure in the periphery of a sputtering region when moving the sputtering region having sputtered particles generated on a target to a chamber.SOLUTION: A film deposition apparatus 1 for depositing sputtered particles generated from a target 2 on an object 6 to be depo...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: WATABE ARATA, SUGAWARA HIROKI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To appropriately acquire the pressure in the periphery of a sputtering region when moving the sputtering region having sputtered particles generated on a target to a chamber.SOLUTION: A film deposition apparatus 1 for depositing sputtered particles generated from a target 2 on an object 6 to be deposited while moving a sputtering region A1 having the sputtered particles in a chamber 10 to deposit a film comprises: the chamber 10 having the object 6 to be deposited and the target 2 arranged therein; a plurality of pressure sensors 7 arranged in the chamber 10 and for acquiring the pressure in the chamber 10; and transfer means 12 for transferring the pressure sensor 7 together with the movement of the sputtering region A1.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】チャンバに対してターゲット上のスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域が移動する場合に、スパッタリング領域周辺の圧力を的確に取得する。【解決手段】成膜対象物6およびターゲット2が内部に配置されるチャンバ10を有し、前記ターゲット2からスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域A1をチャンバ10内で移動させつつ、スパッタ粒子を成膜対象物6に堆積させて成膜する成膜装置1であって、チャンバ10内に配置され、前記チャンバ10内の圧力を取得する圧力センサ7と、圧力センサ7を、スパッタリング領域A1の移動と共に移動させる移動手段12と、を有することを特徴とする。【選択図】図1