SPACER FOR WAFER

To provide a spacer for wafer maintaining the form even if the thickness of a polyether ether ketone film is 30 μm or less, and can be manufactured and handled easily.SOLUTION: A spacer 20 for wafer interposed between an adsorber 1 and a semiconductor wafer 10 includes a bottom board 21 of plane rin...

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Hauptverfasser: ASO TSUTOMU, SUDA NOBUMITSU, TAKISE SHIGERU
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a spacer for wafer maintaining the form even if the thickness of a polyether ether ketone film is 30 μm or less, and can be manufactured and handled easily.SOLUTION: A spacer 20 for wafer interposed between an adsorber 1 and a semiconductor wafer 10 includes a bottom board 21 of plane ring shape interposed between the porous table 5 of the adsorber 1 and the surface peripheral part 11 of the semiconductor wafer 10, and a mating wall 24 of plane ring shape laminated closely to the outer peripheral edge 23 of the reverse face of the bottom board 21 by heat press and mating with the positioning groove 4 of the case 2 of the adsorber 1. At least the bottom board 21, out of the bottom board 21 and the mating wall 24, is formed of polyether ether ketone film, and the thickness of the bottom board 21 is 30 μm or less. Even if the thickness of the bottom board 21 is 30 μm or less, the mating wall 24 having reinforcement function is laminated on the bottom board 21 and integrated, and thereby rigidity of the thin bottom board 21 is ensured at the time of handling, and the form can be maintained easily.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】 例えポリエーテルエーテルケトンフィルムが30μm以下の薄さでも、形態を維持し、容易に製造したり、取り扱うことのできるウェーハ用スペーサを提供する。【解決手段】 吸着装置1と半導体ウェーハ10の間に介在されるウェーハ用スペーサ20であり、吸着装置1の多孔質テーブル5と半導体ウェーハ10の表面周縁部11の間に介在される平面リング形の敷板21と、この敷板21の裏面の外周縁23寄りに熱プレスで積層されて吸着装置1のケース2の位置決め溝4に嵌合する平面リング形の嵌合壁24とを備え、敷板21と嵌合壁24のうち、少なくとも敷板21をポリエーテルエーテルケトンフィルムにより形成し、この敷板21の厚さを30μm以下とする。例え敷板21が30μm以下の薄さでも、敷板21に補強機能を有する嵌合壁24が積層されて一体化するので、ハンドリング時に薄い敷板21の剛性を確保し、形態を容易に維持できる。【選択図】 図2