GATE DRIVE CIRCUIT AND PULSE POWER SUPPLY OF SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT

To provide a technology contributing improvement of the speed of response of switching operation, and suppression of ringing in a semiconductor switching element.SOLUTION: Primary winding T1 of a pulse transformer PT is connected with a pulse voltage source, one end side Tg of the secondary winding T2 of the pulse voltage source is connected with the gate of a switch SW1, and the other end side Ts is connected with the source of the switch SW1. Between the one end side Tg and the other end side Ts of the secondary winding T2, a discharge transistor Q and a Zener diode Dz are connected in parallel. The base of the discharge transistor Q is connected with a series connection point p1, and connected with the other end side Ts via a resistor R1. The resistor R1 having a relatively large value of resistance within a range capable of exerting a desired function of the discharge transistor Q, is applied. The Zener diode Dz connects the cathode to the anode side of a first diode D1 on the one end side Tg, and connects the anode to the other end side Ts.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体スイッチング素子のスイッチング動作の応答速度の向上、およびリンギングの抑制に貢献する技術を提供する。【解決手段】パルストランスＰＴの一次巻線Ｔ１をパルス電圧源に接続し、当該パルス電圧源の二次巻線Ｔ２の一端側ＴｇをスイッチＳＷ１のゲートに接続し、他端側ＴｓをスイッチＳＷ１のソースに接続する。二次巻線Ｔ２の一端側Ｔｇと他端側Ｔｓとの間において、放電用トランジスタＱおよびツェナーダイオードＤｚを並列接続する。放電用トランジスタＱのベースは、直列接続点ｐ１に接続、および抵抗器Ｒ１を介して他端側Ｔｓに接続する。抵抗器Ｒ１は、放電用トランジスタＱの所望の機能を発揮できる範囲内で比較的大きい抵抗値のものを適用する。ツェナーダイオードＤｚは、カソードを、一端側Ｔｇにおける第１ダイオードＤ１のアノード側に接続し、アノードを、他端側Ｔｓに接続する。【選択図】図１