SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device capable of suppressing occurrence of electrical connection failure when mounted on an external substrate.SOLUTION: A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a plurality of first bipolar transistors provided on a first main surface side of the semic...

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Hauptverfasser: KOYA SHIGEKI, OBE ISAO, TSUTSUI TAKAYUKI, UMEMOTO YASUNARI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a semiconductor device capable of suppressing occurrence of electrical connection failure when mounted on an external substrate.SOLUTION: A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a plurality of first bipolar transistors provided on a first main surface side of the semiconductor substrate and having a first height between an emitter layer and an emitter electrode in a direction perpendicular to the first main surface; at least one or more second bipolar transistors provided on the first main surface side of the semiconductor substrate and having a second height higher than the first height between the emitter layer and the emitter electrode in a direction perpendicular to the first main surface; and a first bump disposed over the plurality of first bipolar transistors and at least one or more second bipolar transistors.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】外部基板に実装する際に、電気的な接続不良の発生を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の第1主面側に設けられ、第1主面に垂直な方向において、エミッタ層とエミッタ電極との間で第1高さを有する複数の第1バイポーラトランジスタと、半導体基板の第1主面側に設けられ、第1主面に垂直な方向において、エミッタ層とエミッタ電極との間で、第1高さよりも高い第2高さを有する少なくとも1つ以上の第2バイポーラトランジスタと、複数の第1バイポーラトランジスタと、少なくとも1つ以上の第2バイポーラトランジスタとに跨がって配置された第1バンプとを有する。【選択図】図2