MULTILAYER STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE THEREOF

To provide a multilayer structure that can suppress deterioration of film quality even when film formation is performed at a temperature lower than the original film formation temperature, and a manufacturing method and a manufacturing device thereof.SOLUTION: A multilayer structure includes a base on which an insulating layer 2 and a conductive layer 3 are sequentially arranged on one main surface side of a substrate 1, and a dielectric film 4 on the base, and the dielectric film is a PZT film doped with lanthanum (La) and/or nickel (Ni). In a manufacturing method of such a multilayer structure, when the dielectric film is formed so as to cover the conductive layer, the dielectric film is formed by a sputtering method using a target containing lanthanum (La) and/or nickel (Ni). A manufacturing device of such a multilayer structure includes a target containing lanthanum (La) and/or nickel (Ni).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本来の成膜温度よりも低い成膜温度で成膜しても膜質の低下を抑制することができる多層構造体並びにその製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】基板１の一主面側に絶縁層２と導電層３が順に重ねて配された基体と、基体上に誘電体膜４を備えた多層構造体であって、誘電体膜はランタン（Ｌａ）及び／又はニッケル（Ｎｉ）がドープされたＰＺＴ膜である。係る多層構造体の製造方法であって、前記導電層を覆うように誘電体膜を形成する際に、ランタン（Ｌａ）及び／又はニッケル（Ｎｉ）を含むターゲットを用いてスパッタ法により形成する。係る多層構造体の製造装置であって、ランタン（Ｌａ）及び／又はニッケル（Ｎｉ）を含むターゲットを備えている。【選択図】図１