PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

To provide a technique for detecting partial exfoliation of a substrate from a placement table accurately regardless of the size of the substrate, when performing plasma processing.SOLUTION: In a plasma processing apparatus for electrostatically attracting a glass substrate to a placement table by applying a DC voltage to an electrostatic attraction electrode, and detecting exfoliation of the glass substrate from the placement table by change of the DC voltage, a voltage measurement value is acquired by measuring the DC voltage applied to the electrostatic attraction electrode. Furthermore, the differential value of the voltage measurement value and a processed voltage set value is acquired, and a differential amplification value is acquired by amplifying the differential value. The differential amplification value is compared with a threshold level, and when the differential amplification value exceeds the threshold level, application of a high frequency power for generating plasma is stopped. Consequently, even when the glass substrate is large-sized, and change of the DC voltage is reduced, exfoliation of the glass substrate from the placement table can be detected.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】プラズマ処理を行うときに、基板の載置台からの部分的な剥離を、基板の大きさによらず精度よく検知する技術を提供する。【解決手段】静電吸着電極に直流電圧を印加して、ガラス基板を載置台に静電吸着させ、直流電圧の変化により、ガラス基板の載置台からの剥離を検出するプラズマ処理装置において、静電吸着電極に印加される直流電圧を測定して電圧測定値を取得している。さらに電圧測定値と加工された電圧設定値との差分値を取得し、差分値を増幅し差分増幅値を取得している。そして差分増幅値としきい値とを比較し、差分増幅値がしきい値を超えている場合に、プラズマを発生させる高周波電力の印加を停止している。そのためガラス基板が大型化して、直流電圧の変化が小さくなったときにも、ガラス基板の載置台からの剥離を検出することができる。【選択図】図２