METHOD FOR MANUFACTURING LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL
To provide a method for manufacturing a lithium niobate single crystal using a Czochralski method, capable of suppressing contamination of impurities derived from a platinum crucible to a straight body part.SOLUTION: A method for manufacturing a lithium niobate single crystal using a Czochralski met...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a method for manufacturing a lithium niobate single crystal using a Czochralski method, capable of suppressing contamination of impurities derived from a platinum crucible to a straight body part.SOLUTION: A method for manufacturing a lithium niobate single crystal using a Czochralski method comprises: a melting step of heating a platinum crucible 40 and melting lithium niobate in the platinum crucible 40 to form a melt 50; a seeding step of bringing a seed crystal 20 into contact with the melt 50 in the platinum crucible 40; a shoulder formation step of pulling the seed crystal 20 to form a shoulder 31 having a diameter of 60 mm or more by a lithium niobate single crystal; and a straight body part formation step of pulling a shoulder 31 to form a straight body part 32 by the lithium niobate single crystal. In the shoulder formation step, time of pulling the seed crystal 20 from a start of growing the shoulder 31 until a diameter of the shoulder 31 reaches a diameter of 60 mm is 4.5 hours or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウム単結晶を製造する場合において、白金坩堝由来の不純物の直胴部への混入を抑制できる製造方法の提供。【解決手段】チョクラルスキー法によるニオブ酸リチウム単結晶の製造方法であって、白金坩堝40を加熱して白金坩堝40中のニオブ酸リチウムを融解させて融解物50とする融解工程と、白金坩堝40中の融解物50に種結晶20を接触させるシーディング工程と、シーディング工程後、種結晶20を引き上げて、ニオブ酸リチウム単結晶により直径60mm以上の肩部31を形成する肩部形成工程と、肩部形成工程後、肩部31を引き上げて、ニオブ酸リチウム単結晶により直胴部32を形成する直胴部形成工程と、を含み、肩部形成工程において、肩部31の育成開始から肩部31の直径が60mmに到達するまでの種結晶20の引き上げ時間を4.5時間以上とする、ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法。【選択図】図1 |
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