PHOTOVOLTAIC DEVICE

To provide a highly efficient multi-junction photovoltaic device composed of a group IV semiconductor material layer and a group III-V semiconductor material layer.SOLUTION: A photovoltaic device has an interface between a group III-V semiconductor material layer and a group IV semiconductor material layer, and is provided with a thin silicon diffusion barrier near the interface in the layer of the group IV semiconductor material. The silicon diffusion barrier controls diffusion of Group V atoms into the Group IV semiconductor material layer, and therefore, the Group IV semiconductor material layer is doped to an n-type. The n-type doped region becomes a pn junction of a solar cell having excellent solar cell characteristics in the group IV semiconductor material layer. Further, a tunnel diode in contact with the p-type region of the group III-V semiconductor material layer can be provided, and this tunnel diode is effective for the solar cell.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】ＩＶ族半導体材料層とＩＩＩ−Ｖ族半導体材料層とで構成する高効率の多接合光起電デバイスを提供する。【解決手段】光起電デバイスは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料層とＩＶ族半導体材料層との間に界面を備え、このＩＶ族半導体材料の層にはこの界面の近傍に薄いシリコン拡散バリヤが設けられている。このシリコン拡散バリヤは、Ｖ族原子のＩＶ族半導体材料層への拡散を制御し、これによりこのＩＶ族半導体材料層はｎ型にドープされる。このｎ型にドープされた領域は、ＩＶ族半導体材料層において、優れた太陽電池の特性を有する、太陽電池セルのｐ−ｎ接合部となる。また、このＩＩＩ−Ｖ族半導体材料層のｐ型領域とコンタクトしているトンネルダイオードを設けることができ、このトンネルダイオードは太陽電池に有効である。【選択図】図２