SILICON-CONTAINING FILM ETCHING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SILICON-CONTAINING FILM ETCHING APPARATUS

To reduce the surface roughness of the silicon-containing film after etching when the silicon-containing film on a substrate is etched and/or flatten the surface of the etched silicon-containing film inside a hole when the silicon-containing film on a substrate having a pattern in which the hole is formed such that a portion to be etched is exposed is etched.SOLUTION: An etching apparatus that etches a silicon-containing film on a substrate includes an air supply unit 12 that supplies both of a first fluorine-containing gas including at least Fgas and a second fluorine-containing gas including at least ClFgas, IFgas, IFgas, or SFto the silicon-containing film.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】基板上のシリコン含有膜をエッチングする際に、エッチング後のシリコン含有膜の表面粗さを小さくすること、及び／または、エッチング対象部分が露出するよう孔が形成されたパターンを有する基板上のシリコン含有膜をエッチングする際に、孔の内部におけるエッチング後のシリコン含有膜の表面を平坦にする。【解決手段】本エッチング装置は、基板上のシリコン含有膜をエッチングする装置であり、少なくともＦ２ガスを含む第１のフッ素含有ガスと少なくともＣｌＦ３ガス、ＩＦ７ガス、ＩＦ５ガスまたはＳＦ６ガスを含む第２のフッ素含有ガスとの両方を、上記シリコン含有膜に対して供給する給気部１２と、を有する。【選択図】図２