ION BEAM GENERATING DEVICE AND ION BEAM GENERATING METHOD
To provide an ion beam generation technique capable of outputting different kinds of ion beam from one ion beam generating device comprising two or more beam derivation ports.SOLUTION: An ion beam generating device 1 comprises: gas introduction ports 31, 32 which introduce gases G1, G2 as generation...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide an ion beam generation technique capable of outputting different kinds of ion beam from one ion beam generating device comprising two or more beam derivation ports.SOLUTION: An ion beam generating device 1 comprises: gas introduction ports 31, 32 which introduce gases G1, G2 as generation sources for plasmas P1, P2 into a vacuum chamber 2; microwave introduction ports 41, 42 which introduce microwaves M1, M2 into the vacuum chamber 2; magnetic field generation parts 71-74 which generate magnetic fields forming at least two plasma generation regions R1, R2 in the vacuum chamber 2; voltage application parts 11, 12 which apply voltages to the vacuum chamber 2; and two beam derivation ports 61, 62 which are provided corresponding to the plasma generation regions R1, R2 respectively, and derive ion beams B1, B2 from the plasmas P1, P2 generated in the plasma generation regions R1, R2.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】2つ以上のビーム引出し口を備える1つのイオンビーム発生装置から異なる種類のイオンビームを出力することができるイオンビーム発生技術を提供する。【解決手段】イオンビーム発生装置1は、プラズマP1,P2の生成源となるガスG1,G2を真空チャンバ2に導入するガス導入口31,32と、マイクロ波M1,M2を真空チャンバ2に導入するマイクロ波導入口41,42と、真空チャンバ2の内部に少なくとも2つのプラズマ生成領域R1,R2を形成する磁場を発生させる磁場発生部71〜74と、真空チャンバ2に電圧を印加する電圧印加部11,12と、プラズマ生成領域R1,R2のそれぞれに対応して設けられ、プラズマ生成領域R1,R2にて生成されたプラズマP1,P2からイオンビームB1,B2を引き出す少なくとも2つのビーム引出口61,62を備える。【選択図】 図1 |
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