POWER CONVERSION DEVICE DRIVE CIRCUIT, AND POWER CONVERSION DEVICE

To prevent deteriorated reliability caused by the heterogeneity of exothermic heat from power semiconductor elements connected in parallel, when a temperature difference is generated in the power semiconductor elements connected in parallel.SOLUTION: The drive circuit of a power conversion device, which includes a power conversion unit having an upper arm element (upper-arm power semiconductor element) and a lower arm element (lower-arm power semiconductor element), includes: a variable voltage source which generates a negative bias voltage of a gate of the upper arm element; and a voltage control unit which changes the negative bias voltage generated by the variable voltage source according to the output of a temperature detector unit provided in common to the upper arm element and the lower arm element. The positive side of the variable voltage source is connected to the high voltage side of the lower arm element. The lower voltage side of the lower arm element is connected to one end of a capacitive element which belongs to the lower arm. The other end of the capacitive element is connected to an anode terminal of a high voltage resistance diode. A cathode terminal of the high voltage resistance diode is connected to the negative side of the variable voltage source. When the lower arm element is switched on, a charge current flows from the variable voltage source to the capacitive element.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】並列接続されるパワー半導体素子の温度差分が生じると、並列接続するパワー半導体素子の発熱が不均一になり、信頼性が低下する。【解決手段】上アーム素子（上アームのパワー半導体素子）と下アーム素子（下アームのパワー半導体素子）とを含む電力変換ユニットを備えた電力変換装置の駆動回路が、上アーム素子のゲートの負バイアス電圧を生成する可変電圧源と、上アーム素子と下アーム素子に共通の温度検出部の出力に応じて可変電圧源が生成する負バイアス電圧を変化させる電圧制御部とを有する。可変電圧源の正側は下アーム素子の高電圧側に接続される。下アーム素子の低電圧側は下アームに属する容量素子の一端に接続される。容量素子のもう一端は高耐圧ダイオードのアノード端子に接続される。高耐圧ダイオードのカソード端子は可変電圧源の負側に接続される。下アーム素子がオンすると可変電圧源から容量素子に充電電流が流れる。【選択図】 図１