METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

To form a p-type semiconductor region in a gallium nitride (GaN) based semiconductor by ion implantation.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises a first groove forming step, a depositing step, and an ion implanting step. The first groove forming step forms a first groove in a first semiconductor layer in which a bottom is located for a laminate including a gallium nitride (GaN) based first semiconductor layer containing an n-type impurity and a gallium nitride (GaN) based second semiconductor layer laminated in the first semiconductor layer and containing a p-type impurity. The depositing step deposits the p-type impurity on a side part and the bottom of the first groove. The ion implanting step implants the p-type impurity into the first semiconductor layer via the first groove.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）系の半導体に、イオン注入によってｐ型半導体領域を形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ｎ型不純物を含有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系の第１半導体層と、第１半導体層に積層され、ｐ型不純物を含有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系の第２半導体層とを含む積層体に対し、第１半導体層内に底部が位置する第１溝部を形成する、第１溝部形成工程と、第１溝部の側部及び底部にｐ型不純物を堆積させる堆積工程と、第１溝部を介して、ｐ型不純物を第１半導体層にイオン注入する、イオン注入工程と、を備える。【選択図】図２