SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET

To provide a sputtering target material and sputtering target, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material including a zinc (Zn) oxi...

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Hauptverfasser: TAO KOKI, HATAKE HIDEO
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a sputtering target material and sputtering target, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material including a zinc (Zn) oxide, a tin (Sn) oxide and a zirconium (Zr) oxide without including indium (In) has a zinc content Aof more than 0 at% and 50 at% or less, a tin content Aof 20 at% or more and 80 at% or less and a zirconium content Aof more than 0 at% and 40 at% or less to the total elements except oxygen (O). The Zn content satisfies the following formula (1); the ratio of the maximum to the minimum in a plurality of measured specific resistance values is 3 or less; and the specific resistance value is 5×10[Ω cm] or less. A/(A+A)≤0.6...(1)SELECTED DRAWING: None 【課題】本発明は、光記録媒体の誘電体層を形成する際に異常放電を効果的に抑制することができ、健康障害防止対策の必要がないスパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様は、亜鉛(Zn)の酸化物、スズ(Sn)の酸化物及びジルコニウム(Zr)の酸化物を含み、酸素(O)以外の全元素に対して、亜鉛の含有量AZnが0at%超50at%以下、スズの含有量ASnが20at%以上80at%以下、及びジルコニウムの含有量AZrが0at%超40at%以下であり、Znの含有量が下記式(1)を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が3以下、及び上記比抵抗値が5×10−1[Ω・cm]以下であり、インジウム(In)を含有しないスパッタリングターゲット材である。AZn/(AZn+ASn)≦0.6・・・・・(1)【選択図】なし