PLASMA CVD APPARATUS

To provide a plasma CVD apparatus capable of reducing thermal deformation when cleaning an electrode and preventing abnormal discharge during film deposition.SOLUTION: A plasma CVD apparatus 1 comprises: a conductor part 11, an electrode 12, two temperature sensors 51 and 52 for measuring the temperatures of the electrode 12 at different positions and a controller 60 for controlling a voltage applied between the electrode 12 and the conductor part 11 or a work piece W. The controller 60 for performing cleaning control each time the deposition of a carbon film on the work piece W is completed reduces a voltage value applied in the next cleaning control than that applied in the last cleaning control when a difference between the temperatures measured by the two temperature sensors 51 and 52 is equal to or more than a predetermined temperature difference to remove the carbon film C2 adhering to the electrode 12.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】電極をクリーニングする際の熱変形を低減し、成膜時の異常放電を防止することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、導体部１１と、電極１２と、電極１２の異なる位置の温度を測定する２つの温度センサ５１、５２と、電極１２と導体部１１またはワークＷとの間に印加する電圧を制御する制御装置６０とを備える。制御装置６０は、ワークＷに前記炭素皮膜を成膜する処理が完了するごとにクリーニング制御を行うものであり、２つの温度センサ５１、５２により測定された温度差が、所定の温度差以上となったときに、次回のクリーニング制御において印加する電圧値を、前回のクリーニング制御において印加した電圧値よりも下げて、電極１２に付着した炭素皮膜Ｃ２を除去する。【選択図】図２