HEAT TREATMENT METHOD

To provide a heat treatment method capable of shortening a time required for loading and unloading a substrate into and from a chamber.SOLUTION: An unloading preparation operation for unloading a semiconductor wafer from a processing chamber is started at time t6 before time t7 when the temperature of the semiconductor wafer is lowered to the unloadable temperature T3. Further, a gate valve is closed at time t3 after time t2 when processing on the semiconductor wafer is started, and the operation of loading the semiconductor wafer into the processing chamber is completed. When the period for processing the semiconductor wafer and the period for loading and unloading the semiconductor wafer are overlapped, the time required for loading and unloading the semiconductor wafer into and from the processing chamber can be shortened.SELECTED DRAWING: Figure 10 【課題】チャンバーに対する基板の搬出入に要する時間を短縮することができる熱処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハーが搬出可能温度Ｔ３にまで降温する時刻ｔ７よりも前の時刻ｔ６に半導体ウェハーを処理チャンバーから搬出するための搬出準備動作を開始する。また、半導体ウェハーに対する処理が開始される時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ３にゲートバルブが閉止して半導体ウェハーを処理チャンバーに搬入する動作が完了する。半導体ウェハーの処理のための期間と半導体ウェハーの搬出入のための期間とをオーバーラップさせることによって、処理チャンバーに対する半導体ウェハーの搬出入に要する時間を短縮することができる。【選択図】図１０