SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITRY

To provide a MOM capacitor with a high Q factor, which is formed on a substrate.SOLUTION: Metal structures comprise arrangements of strips having widths parallel to layers. The widths are within one range of a lower range of widths, an intermediate range of widths comprising widths larger than those in the lower range of widths, and a higher range of widths comprising widths larger than those in the intermediate range of widths. The strips formed in a first metal layer are organised into a first comb arrangement having a base strip and a plurality of finger strips extending from the base strip, the widths of the strips being in the lower range of widths. The strips formed in a second metal layer are organised into a second comb arrangement having a base strip and a plurality of finger strips extending from the base strip, the widths of the finger strips being in the lower range of widths, and the width of each base strip being in the intermediate range of widths. The strips formed in a third metal layer have widths in the higher range of widths.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】基板上に形成される高いＱを有するＭＯＭキャパシタを提供する。【解決手段】層と平行な幅を有するストリップの配置を有し、幅は、下位幅範囲、下位幅範囲に含まれる幅よりも広い幅を有する中間幅範囲、及び中間幅範囲に含まれる幅よりも広い幅を有する高位幅範囲のうちの１つの範囲内にある。第１の金属層に形成されるストリップは、ベースストリップ及びベースストリップから延在する複数のフィンガーストリップを有する第１のくし形配置に編成され、その幅は下位幅範囲にある。第２の金属層に形成されるストリップは、ベースストリップ及びベースストリップから延在する複数のフィンガーストリップを有する第２のくし形配置に編成され、そのフィンガーストリップの幅は下位幅範囲にあり、そのベースストリップの幅は中間幅範囲にある。第３の金属層に形成されるストリップの幅は高位幅範囲にある。【選択図】図４