SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

To improve the reliability of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a semiconductor element formed on a substrate SB; a multilayer wiring layer including a plurality of wiring layers formed on the semiconductor element; a plurality of electrode pads PD formed on an uppermost layer of the plurality of wiring layers; an insulation film (first inorganic insulation film) IF1 formed on the multilayer wiring layer; an insulation film (second inorganic insulation film) IF2 formed on the insulation film IF1; and an insulation film (organic insulation film) PI formed on the insulation film IF2. A wire BW is connected to each of the electrode pads PD. The electrode pad PD is made of a material containing aluminum. The wire BW is made of a material containing gold. An opening OP1 is formed in the insulation film IF1 between the electrode pad PDa and the electrode pad PDb adjacent to each other. The insulation film IF1 and the insulation film PI located in the opening OP1 are interposed between the electrode pad PDa and the electrode pad PDb.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、基板ＳＢ上に形成された半導体素子と、前記半導体素子上に形成された複数の配線層を含む多層配線層と、前記複数の配線層のうちの最上層に形成された複数の電極パッドＰＤと、前記多層配線層上に形成された絶縁膜（第１無機絶縁膜）ＩＦ１と、絶縁膜ＩＦ１上に形成された絶縁膜（第２無機絶縁膜）ＩＦ２と、絶縁膜ＩＦ２上に形成された絶縁膜（有機絶縁膜）ＰＩとを有している。電極パッドＰＤのそれぞれにはワイヤＢＷが接続されている。電極パッドＰＤは、アルミニウムを含む材料からなり、ワイヤＢＷは、金を含む材料からなる。互いに隣接する電極パッドＰＤａと電極パッドＰＤｂとの間において、絶縁膜ＩＦ１には開口部ＯＰ１が形成され、電極パッドＰＤａと電極パッドＰＤｂとの間には、絶縁膜ＩＦ１と、開口部ＯＰ１内に位置する絶縁膜ＰＩとが介在している。【選択図】図４