SEMICONDUCTOR DEVICE

To suppress generation of metal foreign matters.SOLUTION: A semiconductor device 10 comprises a metal base substrate 11, a plurality of switching elements 23, a plurality of diodes 24, terminals 25 and 26, and a case part 41. The metal base substrate 11 comprises a rectangular metal base 12, and a s...

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Hauptverfasser: YUGUCHI HIROSHI, OTOBE YURI, KIMURA ATSUTO
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To suppress generation of metal foreign matters.SOLUTION: A semiconductor device 10 comprises a metal base substrate 11, a plurality of switching elements 23, a plurality of diodes 24, terminals 25 and 26, and a case part 41. The metal base substrate 11 comprises a rectangular metal base 12, and a substrate part 21. The case part 41 is arranged so as to overlap with the substrate part 21. The case part 41 comprises a case main body 42, and a projection 50 protruded from the case main body 42. The projection 50 is protruded from the metal base 12 in a width direction.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】金属異物の発生を抑制すること。【解決手段】半導体装置10は、金属ベース基板11と、複数のスイッチング素子23と、複数のダイオード24と、端子25,26と、ケース部41と、を備える。金属ベース基板11は、方形状の金属ベース12と、基板部21と、を備える。ケース部41は、基板部21に重ねて配置されている。ケース部41は、ケース本体42と、ケース本体42から突出する突出部50と、を備える。突出部50は、幅方向において、金属ベース12より突出している。【選択図】図1