METHOD FOR FORMING CHEMICAL GUIDING STRUCTURE ON SUBSTRATE AND CHEMICAL EPITAXY METHOD

To provide a method for forming a chemical guiding structure for self-organization of block copolymers by chemical epitaxy.SOLUTION: A method for forming a chemical guiding structure includes the steps of: forming a functionalized layer (220) made of a first polymer material (140) having a first che...

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Hauptverfasser: XAVIER CHEVALIER, CHRISTOPHE NAVARRO, RALUCA TIRON, GUILLAUME CLAVEAU, LAURENT PAIN, AHMED GHARBI, ANNE PAQUET
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a method for forming a chemical guiding structure for self-organization of block copolymers by chemical epitaxy.SOLUTION: A method for forming a chemical guiding structure includes the steps of: forming a functionalized layer (220) made of a first polymer material (140) having a first chemical affinity to a block copolymer on a substrate (100); and forming a guiding pattern (210) made of a second polymer material having a second chemical affinity, which is different from the first chemical affinity, to the block copolymer on the substrate. A guiding pattern (210) has a critical dimension (W) shorter than 12.5 nm and formed of a mask (310) equipped with spacers (130, 311).SELECTED DRAWING: Figure 4F 【課題】本発明は、化学的エピタキシーによるブロック共重合体の自己組織化のための化学的ガイディング構造を形成するための方法に関する。【解決手段】この方法は、以下の工程:− ブロック共重合体に対して第1の化学親和力を有する第1のポリマー材料(140)から作製された機能化層(220)を基板(100)上に形成する工程と、− ブロック共重合体に対して、第1の化学親和力とは異なる第2の化学親和力を有する第2のポリマー材料から作製されたガイディングパターン(210)を基板上に形成する工程を含み、ガイディングパターン(210)は、12.5nmよりも短い限界寸法(W)を有し、スペーサ(130、311)を備えるマスク(310)によって形成される。【選択図】図4F