SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device capable of preventing generation of a through current flowing between a drain and a source and of suppressing a secular change in potential of a field plate electrode.SOLUTION: A drain region DR is arranged on a first surface FS of a semiconductor substrate SB, and a source region SR is arranged on a second surface SS of the semiconductor substrate SB, and a drift region DRI is arranged between the drain region DR and the source region SR. The semiconductor substrate SB has a trench TR extending from the second surface SS to an inside of the drift region DRI. A field plate electrode FP is electrically insulated from the drain region DR, and arranged inside the trench TR so as to be insulated from and opposed to the drift region DRI. A Zener diode ZD is electrically connected between the source region SR and the field plate electrode FP. The Zener diode ZD is connected in a forward direction with respect to a direction from the source region SR toward the field plate electrode FP.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ドレインとソースとの間に流れる貫通電流の発生を防止でき、かつフィールドプレート電極の電位の経時変化を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ドレイン領域ＤＲは半導体基板ＳＢの第１面ＦＳに配置され、ソース領域ＳＲは半導体基板ＳＢの第２面ＳＳに配置され、ドリフト領域ＤＲＩはドレイン領域ＤＲとソース領域ＳＲとの間に配置される。半導体基板ＳＢは、第２面ＳＳからドリフト領域ＤＲＩの内部に延びる溝ＴＲを有している。フィールドプレート電極ＦＰは、ドレイン領域ＤＲと電気的に絶縁され、かつドリフト領域ＤＲＩと絶縁しながら対向するように溝ＴＲの内部に配置されている。ツェナーダイオードＺＤは、ソース領域ＳＲおよびフィールドプレート電極ＦＰの間に電気的に接続されている。ツェナーダイオードＺＤは、ソース領域ＳＲからフィールドプレート電極ＦＰへ向かう方向に対して順方向に接続されている。【選択図】図１