HEAT RESISTANT POWER MODULE SUBSTRATE, HEAT RESISTANT PLATING FILM AND PLATING SOLUTION

To provide a heat resistant power module substrate, heat resistant plating film and plating solution, capable of preventing cracks from occurring in a film even when a TCT is performed on the side of a high temperature of 200°C or more.SOLUTION: The heat resistant power module substrate for mounting a power semiconductor generating high temperature comprises: a base material consisting of at least aluminium oxide, aluminium nitride or silicon nitride; a circuit formed directly or through a brazing material on the base material and consisting of copper or aluminium; and a plating film formed on the surface of the circuit. The plating film is an electroless nickel-phosphorus-molybdenum plating film, and the percentage content of phosphorus in the plating film is 10.5-13 wt.%.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高温側２００℃以上でのＴＣＴを行っても、皮膜にクラックが発生することを防止する耐熱用パワーモジュール基板、耐熱用めっき皮膜及びめっき液を提供することを目的とする。【解決手段】高熱を発するパワー半導体を搭載するための耐熱用パワーモジュール基板であって、少なくとも、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなる基材と、前記基材上に、直接又はろう材を介して形成された、銅若しくはアルミニウムからなる回路と、前記回路表面に形成されためっき皮膜とを備え、前記めっき皮膜は、無電解ニッケル−リン−モリブデンめっき皮膜であり、前記めっき皮膜中のリンの含有率は１０．５〜１３重量％であることを特徴とする。【選択図】図１