SEMICONDUCTOR DEVICE

To improve heat dissipation of a semiconductor element in a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a semiconductor element; a first metal plate; a heat radiation block; a second metal plate; a heat radiation member; and a sealing resin. The semiconductor element is formed in a plate-shaped having an upper surface and a lower surface. The first metal plate is soldered to the lower surface. The heat radiation block is soldered to the upper surface in an inner side from an outer edge of the semiconductor element. The second metal plate is soldered to the heat radiation block. The heat radiation material is installed at least from the upper surface to the outer edge of the heat radiation block. The sealing resin seals the heat radiation material, the semiconductor element, the heat radiation block, and the heat radiation material into between the first and second metal plates. The heat radiation material has heat conductivity larger than that of the sealing resin, and has at least one of volume resistivity equal to or larger than that of the sealing resin and insulation breakdown voltage equal to or larger than that of the seal resin.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体装置において半導体素子の放熱性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、第１の金属板と、放熱ブロックと、第２の金属板と、放熱材と、封止樹脂とを備える。半導体素子は、上面および下面を有する板状である。第１の金属板は、下面にはんだ付けされている。放熱ブロックは、半導体素子の外縁より内側において上面にはんだ付けされている。第２の金属板は、放熱ブロックにはんだ付けされている。放熱材は、少なくとも上面から放熱ブロックの外縁にわたって設けられている。封止樹脂は、第１の金属板と第２の金属板との間に、半導体素子、放熱ブロックおよび放熱材を封止する。放熱材は、封止樹脂以上の熱伝導率を有しているとともに、封止樹脂以上の体積抵抗率および封止樹脂以上の絶縁破壊耐圧の少なくとも一方を有している。【選択図】図１