QUANTUM DOT DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

To provide a quantum dot device capable of achieving improved performance.SOLUTION: A quantum dot device includes an anode, a hole injection layer disposed on the anode, a hole transport layer disposed on the hole injection layer, a quantum dot layer disposed on the hole transport layer, and a cathode disposed on the quantum dot layer. In the quantum dot device, a HOMO energy level of the quantum dot layer is greater than or equal to 5.6 eV, a difference between a HOMO energy level of the hole transport layer and a HOMO energy level of the quantum dot layer is less than 0.5 eV, the hole injection layer has a first surface adjacent to the anode and a second surface adjacent to the hole transport layer, and a HOMO energy level of the first surface of the hole injection layer is different from a HOMO energy level of the second surface of the hole injection layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】改善された性能を実現できる量子ドット素子を提供する。【解決手段】本発明による量子ドット素子は、アノードと、前記アノード上に位置する正孔注入層と、前記正孔注入層上に位置する正孔輸送層と、前記正孔輸送層上に位置する量子ドット層と、前記量子ドット層の上に位置するカソードと、を有し、前記量子ドット層のＨＯＭＯエネルギー準位は、５．６ｅＶ以上であり、前記正孔輸送層と前記量子ドット層のＨＯＭＯエネルギー準位の差は、０．５ｅＶより小さく、前記正孔注入層は、前記アノードに隣接した第１面と前記正孔輸送層に隣接した第２面とを有し、前記正孔注入層の第１面のＨＯＭＯエネルギー準位は、前記正孔注入層の第２面のＨＯＭＯエネルギー準位と異なる。【選択図】 図１