HERMETICALLY SEALED PACKAGE HAVING STRESS REDUCING LAYER

To provide a sealed package having a device disposed on a wafer structure and a lid structure bonded to the device wafer.SOLUTION: A device wafer includes: a substrate; a metal ring disposed on a surface portion of the substrate around the device; and a bonding material disposed on the metal ring. A first layer of the metal ring includes a stress relief buffer layer having a ductility higher than that of the surface portion of the substrate and a width greater than that of the bonding material. The metal ring extends laterally beyond at least one of inner and outer edges of the bonding material. The stress relief buffer layer has a coefficient of thermal expansion greater than that of the surface portion of the substrate and less than that of the bonding material.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】シールされたパッケージは、ウェファ構造体の上に配置されたデバイスおよびデバイスウェファに対して接合されたリッド構造体を含んでいる。【解決手段】デバイスウェファは、サブストレート；デバイスの周りのサブストレートの表面部分の上に配置された金属リング；および、金属リングの上に配置された接合材料；を含む。金属リングの第１レイヤは、応力緩和バッファレイヤを含み、サブストレートの表面部分よりも高い延性を有しており、かつ、接合材料の幅より幅が広い。金属リングは、接合材料の内側および外側エッジのうち少なくとも一つを越えて横方向に拡がっている。応力緩和バッファレイヤは、サブストレートの表面部分の熱膨張率よりも大きく、かつ、接合材料の熱膨張率よりも小さな熱膨張率を有する。【選択図】 図５