FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR

To reduce physical dimensions of a channel region of a transistor in both vertical and horizontal directions while maintaining a high ON current and an ON/OFF ratio.SOLUTION: A semiconductor device includes: a semiconductor substrate having an isolation region formed therein; and a fin-shaped semiconductor structure vertically projecting above the isolation region and laterally extending in a first direction. The device further includes: a gate dielectric surrounding a channel region of the fin-type semiconductor structure; and a gate electrode surrounding the gate dielectric. The channel region is sandwiched between a source region and a drain region in a first direction and has a sloped sidewall and a width that decreases continuously from a base to a peak of the channel region. The channel region includes a volume inversion region having a height greater than about 25% of the total height of the channel region.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】高いＯＮ電流およびＯＮ／ＯＦＦ比を維持しつつ、垂直および水平方向の両方においてトランジスタのチャネル領域の物理的寸法を縮小する。【解決手段】半導体デバイスは、分離領域がそこに形成された半導体基板と、前記分離領域の上に垂直に突出しかつ第１の方向に横方向に延在するフィン型半導体構造体とを備える。デバイスはさらに、前記フィン型半導体構造体のチャネル領域を取り囲むゲート誘電体および前記ゲート誘電体を取り囲むゲート電極を備える。前記チャネル領域は、ソース領域とドレイン領域との間に第１の方向に挟まれ、傾斜した側壁および前記チャネル領域のベースからピークに向かって連続的に減少する幅を有する。前記チャネル領域は、前記チャネル領域の全高の略２５％を超える高さを有する体積反転領域を含む。【選択図】図２