HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

To provide an HBT capable of suppressing reduction in linearity of input-output characteristics of the HBT.SOLUTION: A collector layer, a base layer, and an emitter layer are laminated on a substrate. The collector layer includes an inclination type semiconductor layer whose electron affinity becomes larger from a side close to the base layer toward a side distant from the base layer. An electron affinity at an interface at a side close to the collector layer, of the base layer, is equivalent to an electron affinity at an interface at the side close to the base layer, of the inclination type semiconductor layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ＨＢＴの入出力特性の線形性低下を抑制することが可能なＨＢＴを提供する。【解決手段】基板の上にコレクタ層、ベース層、及びエミッタ層が積層されている。コレクタ層は、ベース層に近い側から遠い側に向けて電子親和力が大きくなる傾斜型半導体層を含む。ベース層の、コレクタ層に近い側の界面における電子親和力が、傾斜型半導体層の、ベース層に近い側の界面における電子親和力と等しい。【選択図】図１