METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

To improve reliability of a semiconductor device.SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device comprises the processes of: conducting a wafer test on a semiconductor wafer a plurality of times and forming a plurality of probe marks PM on a plurality of pad electrodes PD, respectively; a...

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Hauptverfasser: YASUMURA BUNJI, IZUMI TADAO, KONISHI SATOSHI, SHIBATA JUN
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To improve reliability of a semiconductor device.SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductor device comprises the processes of: conducting a wafer test on a semiconductor wafer a plurality of times and forming a plurality of probe marks PM on a plurality of pad electrodes PD, respectively; and connecting a ball part Wb of a wire to a pad electrode PD such that a plurality of probe marks PM are covered with the ball part Wb of the wire. Then the plurality of probe marks PM each have a projection part CV protruding from a principal surface of a pad electrode PD, and a recessed part CC recessed from the principal surface. At a joint part Wc between a ball part Wb of the wire and a pad electrode PD, two mutually adjacent probe marks PM has an alienation distance equal to or less than a diameter of a probe mark PM, and the respective recessed parts CC of the plurality of probe marks PM are alienated from each other.SELECTED DRAWING: Figure 12 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウエハに対して複数回のウエハテストを実施して、複数のパッド電極PDの各々に複数のプローブ痕PMを形成する工程と、複数のプローブ痕PMを、ワイヤのボール部Wbで覆うように、ワイヤのボール部Wbをパッド電極PDに接続する工程とを有する。そして、複数のプローブ痕PMの各々は、断面視において、パッド電極PDの主面よりも突出した凸部CVと、主面よりも窪んだ凹部CCと、を有している。また、ワイヤのボール部Wbとパッド電極PDとの接合部Wcにおいて、互いに隣り合う2つのプローブ痕PMは、平面視におけるプローブ痕PMの直径以下の離間距離を有しており、複数のプローブ痕PMの各々の凹部CCは、互いに離間している。【選択図】図12