WAFER PROCESSING METHOD

To make it easier to divide a wafer.SOLUTION: A method for processing a wafer having a device region where a plurality of streets are set and a peripheral surplus region surrounding the device region comprises: a laser processing step of applying a laser beam of a wavelength allowed to pass through the wafer to the wafer from a backside with a focus point positioned inside the wafer; and a grinding step of grinding a wafer backside. In the laser processing step, a modified layer is formed along each street in the device region; a circular modified layer is formed along a boundary of the device region and a peripheral surplus region; the peripheral surplus region serves as a reinforcement part; the circular modified layer is formed in an intermittent circular form having a modified layer non-formation region where no modified layer is formed at more than one location; and the modified layer non-formation region of the circular modified layer becomes a formation route of a crack reaching an outer peripheral end of the wafer from the device region.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】ウェーハの分割を容易にする。【解決手段】複数のストリートが設定されデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を備えたウェーハの加工方法であって、集光点を該ウェーハの内部に位置づけた状態で該ウェーハを透過する波長のレーザビームを該裏面側から照射するレーザ加工ステップと、ウェーハの該裏面を研削する研削ステップと、を備え、該レーザ加工ステップでは、該デバイス領域内に該ストリートに沿った改質層を形成するとともに該デバイス領域及び該外周余剰領域の境界に沿った円状改質層を形成し、該外周余剰領域を補強部とし、該円状改質層は、複数箇所において改質層が形成されない改質層非形成領域を有した断続的な円状に形成され、該円状改質層の該改質層非形成領域は、該デバイス領域から該ウェーハの外周端に到達するクラックの形成経路となる。【選択図】図４