SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device in which stress applied to bumps between a mounting substrate and a semiconductor package is reduced to achieve high reliability.SOLUTION: A semiconductor device according to the present embodiment comprises: a package substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; a semiconductor chip provided on the first surface of the package substrate and having a semiconductor element; an adhesive provided between the semiconductor chip and the package substrate; and metal bumps provided on the second surface. The package substrate is a multilayer substrate including first through fourth wiring layers and first through third resin layers. When assuming that coefficients of thermal expansion of the semiconductor chip, the first through third resin layers, the first through fourth wiring layers and the adhesive are CTE1-CTE4, the following relational expression is satisfied: CTE1EM4.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】実装基板と半導体パッケージとの間のバンプにかかる応力を緩和し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第１面と前記第１面に対して反対側にある第２面とを有するパッケージ基板を備える。半導体チップは、パッケージ基板の第１面上に設けられ、半導体素子を有する。接着剤は、半導体チップとパッケージ基板との間に設けられている。金属バンプは、第２面上に設けられている。パッケージ基板は、第１〜第４配線層と、第１〜第３樹脂層と、を備えた積層基板である。半導体チップ、第１〜第３樹脂層、第１〜第４配線層、接着剤の熱膨張係数をそれぞれＣＴＥ１〜ＣＴＥ４とすると、ＣＴＥ１＜ＣＴＥ２＜ＣＴＥ３＜ＣＴＥ４を満たす。半導体チップ、第１〜第３樹脂層、第１〜第４配線層、接着剤の弾性率をそれぞれＥＭ１〜ＥＭ４とすると、ＥＭ１＞ＥＭ３＞ＥＭ２＞ＥＭ４を満たす。【選択図】図２