PLASMA PROCESSING APPARATUS
To match the impedance on the microwave output device side and the impedance on the chamber side appropriately.SOLUTION: The apparatus includes a chamber body, a microwave generating part generating a microwave having a bandwidth, a waveguide connecting a microwave output device and the chamber body...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To match the impedance on the microwave output device side and the impedance on the chamber side appropriately.SOLUTION: The apparatus includes a chamber body, a microwave generating part generating a microwave having a bandwidth, a waveguide connecting a microwave output device and the chamber body, and a tuner provided in the waveguide. The microwave generating part generates a microwave having a power subjected to pulse modulation so as to have a High level and a Low level. The tuner has a stub capable of adjusting projection amount of the waveguide for the internal space, a tuner detector for detecting the measurement value corresponding to the power of microwave in the waveguide, at a timing on the basis of pulse frequency and setting duty, and a tuner control section for adjusting the projection amount of the waveguide, based on the measurement value detected by the tuner detector.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】マイクロ波出力装置側のインピーダンスとチャンバ側のインピーダンスとを適切に整合する。【解決手段】装置は、チャンバ本体と、帯域幅を有するマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、マイクロ波出力装置とチャンバ本体とを接続する導波管と、導波管に設けられたチューナと、を備える。マイクロ波発生部は、Highレベル及びLowレベルとなるようにパワーがパルス変調されたマイクロ波を発生する。チューナは、導波管の内部空間に対する突出量を調整可能なスタブと、パルス周波数及び設定デューティ比に基づいたタイミングで、導波管内のマイクロ波のパワーに応じた測定値を検出するチューナ検波部と、チューナ検波部により検出された測定値に基づいて、スタブの突出量を調整するチューナ制御部と、を有する。【選択図】図2 |
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