SOLAR BATTERY PRODUCTION METHOD AND SOLAR BATTERY

To provide a simplified procedure for high-efficiency solar battery production, which is reduced in the number of thermal processes and the number of etching steps and increased in efficiency.SOLUTION: A solar battery production method comprises the step of preparing, on a rear face of a silicon substrate 202, a thin dielectric layer 206 and a doped polycrystalline silicon-layer 250. The method may comprise the step of subsequently, forming a high-quality oxide layer 212, 214 and a doped wide-band gap semiconductor layer 260, 262 over the resultant rear and front faces of the silicon substrate. In the method, a metallization process for plating a metal finger over the polycrystalline silicon-layer doped through a contact opening may be executed subsequently. The plated metal finger can form a first metal grid line 290. A second metal grid line 292 can be formed by direct plating with metal in an emitter region on the rear face of the silicon substrate. The method eliminates the need for a contact opening for the second metal grid line.SELECTED DRAWING: Figure 18 【課題】減少した熱プロセス、減少したエッチング工程、向上した効率、及び高効率太陽電池の製造の簡略化された手順を提供する。【解決手段】シリコン基板２０２の裏面上に薄い誘電体層２０６及びドーピングされたポリシリコン層２５０を準備することを含む。続いて、高品質の酸化物層２１２，２１４及びドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層２６０，２６２が、どちらもシリコン基板の裏面及び前面上に形成され得る。コンタクト開口部を介してドーピングされたポリシリコン層上へ金属フィンガーをメッキするメタライゼーションプロセスが、次に実行され得る。メッキされた金属フィンガーは、第１金属グリッド線２９０を形成することができる。第２金属グリッド線２９２を、シリコン基板の裏面上のエミッタ領域に金属を直接メッキすることによって形成することができ、第２金属グリッド線のためのコンタクト開口部を不要とする。【選択図】図１８