METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a method of forming a semiconductor device.SOLUTION: In a method of forming a semiconductor device, a trench (203) is formed in a semiconductor body (205) at a first surface (207) of the semiconductor body (205). Dopants are introduced into a first region (212) at a bottom side of the trench (203) by ion implantation. A filling material (216) is formed in the trench (203). Dopants are introduced into a second region (218) at a top side of the filling material (216). Thermal processing of the semiconductor body (205) is carried out and is configured to intermix dopants from the first and the second regions (212, 218) by a diffusion process along a vertical direction (y) perpendicular to the first surface (207).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】 半導体デバイスを形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体デバイスを形成する方法の実施形態によれば、トレンチ（２０３）は、半導体ボディ（２０５）の第１の表面（２０７）において半導体ボディ（２０５）に形成される。ドーパントは、イオン注入によって、トレンチ（２０３）の底面における第１の領域（２１２）に導入される。充填材（２１６）は、トレンチ（２０３）に形成される。ドーパントは、充填材（２１６）の上側における第２の領域（２１８）に導入される。半導体ボディ（２０５）の熱処理は、拡散処理により、第１の表面（２０７）に垂直な垂直方向（ｙ）に沿って、第１及び第２の領域（２１２、２１８）からのドーパントを混合するように実行され構成される。【選択図】 図１