SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
To provide a substrate processing method and substrate processing apparatus, capable of suppressing fluctuations in an etching rate.SOLUTION: The substrate processing method includes an etching process and an atmosphere adjustment process. The etching process etches a substrate by supplying a chemic...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | To provide a substrate processing method and substrate processing apparatus, capable of suppressing fluctuations in an etching rate.SOLUTION: The substrate processing method includes an etching process and an atmosphere adjustment process. The etching process etches a substrate by supplying a chemical solution to the substrate. The atmosphere adjustment process controls a concentration of an etching species or oxidant contained in the chemical solution by adjusting the atmosphere in which the chemical solution supplied to the substrate is exposed.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】エッチングレートの変動を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、エッチング工程と、雰囲気調整工程とを含む。エッチング工程は、基板に薬液を供給することによって基板をエッチングする。雰囲気調整工程は、エッチング工程において、基板に供給された薬液がさらされる雰囲気を調整することによってかかる薬液に含有されるエッチング種または酸化剤の濃度を制御する。【選択図】図５ |
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