IMPROVED STRUCTURE FOR REDUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER DISTORTION

To provide an improved structure for reducing compound semiconductor wafer distortion.SOLUTION: An improved structure for reducing compound semiconductor wafer distortion comprises a contact metal layer 30 formed on a bottom surface 202 of a compound semiconductor wafer 20, at least one stress balance layer 40 formed on a bottom surface 302 of the contact metal layer and made of a nonconductive material, a plurality of stress balance layer via holes 72, and a die attachment layer 50. Each stress balance layer via hole penetrates through the stress balance layer. The die attachment layer is made of a conductive material, formed on a bottom surface of the stress balance layer and an inner wall of each stress balance layer via hole, and electrically connected with the contact metal layer through at least one of the stress balance layer via holes. By locating the at least one stress balance layer between the contact metal layer and the die attachment layer, the stress applied to the compound semiconductor wafer is balanced, so that the distortion of the wafer is reduced.SELECTED DRAWING: Figure 1A 【課題】化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提供する。【解決手段】化合物半導体ウェーハー２０の裏面２０２に形成されるコンタクト金属層３０、コンタクト金属層の裏面３０２に形成され、非導電材料で作られる、少なくとも一層のストレス均衡層４０、複数のストレス均衡層ビア７２、およびダイ取り付け層５０よりなる。ストレス均衡層ビアは、それぞれ、ストレス均衡層を貫通する。ダイ取り付け層は、導電材料で作られ、ストレス均衡層の裏面、および、複数のストレス均衡層ビアそれぞれの内壁に形成され、複数のストレス均衡層ビアの少なくとも一つを通して、コンタクト金属層と電気的に接続される。コンタクト金属層およびダイ取り付け層の間に少なくとも一層のストレス均衡層を置くことによって、化合物半導体ウェーハーに加わるストレスが均衡され、ウェーハーの歪みが低減される。【選択図】図１Ａ