TEMPLATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR TEMPLATE

To provide a nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element dramatically improving crystallinity.SOLUTION: A template comprises: a sapphire substrate taking, as its main face, a (0001) face or a face tilted from the (0001) face by a predetermined angle; and an AlN layer constituted by an AlN crystal having a crystal orientation relation epitaxial with a main face directly formed on the main face of the sapphire substrate. In the template, an average particle diameter of the AIN crystal with a thickness of 20nm from the main face of the AlN layer is 100nm or less. The main face's 90% or more is covered with the AlN crystal having the average particle diameter of 100nm or less with the thickness of 20nm from the main face of the AlN layer.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】結晶性を劇的に改善する窒化物半導体紫外線発光素子の提供。【解決手段】テンプレートは、（０００１）面または（０００１）面に対して所定の角度だけ傾斜した面を主面とするサファイア基板と、サファイア基板の主面に直接形成される主面に対してエピタキシャルな結晶方位関係を有するＡｌＮ結晶で構成されたＡｌＮ層と、を備える。テンプレートにおいて、ＡｌＮ層の主面から２０ｎｍの厚さにおけるＡｌＮ結晶の平均粒径は、１００ｎｍ以下であり、前記ＡｌＮ層の主面から２０ｎｍの厚さにおける平均粒径が１００ｎｍ以下の前記ＡｌＮ結晶が、主面の９０％以上を被覆している。【選択図】図３