SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the need for a step of simply connecting a surface electrode and an electrode pad.SOLUTION: A semiconductor device includes a semiconductor region formed at a position facing a part of a surface of a semiconductor substrate 10, a surface electrode 12 conducting with the semiconductor region and formed on the surface of the semiconductor substrate 10, a conductor 44 in dummy trench filling a dummy trench 40 extending from the surface of the semiconductor substrate 10 in a range where the semiconductor region is not formed to a deep part, an electrode pad 16 conducting with the conductor 44 in the dummy trench and formed on the surface of the semiconductor substrate 10, a set of the semiconductor region and the surface electrode 12, insulation films 13, 42, 52 insulating between the set of the conductor 44 in the dummy trench and the electrode pad 16, and a metal plate 18 extending across the surface of the surface electrode 12 and the surface of the electrode pad 16. The semiconductor region, the surface electrode 12, the electrode pad 16 and the conductor 44 in the dummy trench are conducted by means of the metal plate 18.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】表面電極と電極パッドを接続するだけの工程を不要化する。【解決手段】半導体基板１０の表面の一部に臨む位置に形成されている半導体領域と、その半導体領域に導通しているとともに半導体基板１０の表面に形成されている表面電極１２と、半導体領域が形成されていない範囲の半導体基板１０の表面から深部に延びているダミートレンチ４０内に充填されているダミートレンチ内導体４４と、ダミートレンチ内導体４４に導通しているとともに半導体基板１０の表面に形成されている電極パッド１６と、半導体領域と表面電極１２の組と、ダミートレンチ内導体４４と電極パッド１６の組の間を絶縁している絶縁膜１３，４２，５２と、表面電極１２の表面から電極パッド１６の表面に跨って延びる金属プレート１８を備えている。金属プレート１８によって、半導体領域と表面電極１２と電極パッド１６とダミートレンチ内導体４４が導通している。【選択図】図３