SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve performance of semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device has a wire 12 being joined at multiple places of one joining surface SEt1 in an opening 13H1 formed in the insulation film of a semiconductor chip. The semiconductor device also has a sealant for sealing the semiconductor chip and the wire 12 so as to come into contact with the joining surface SEt1. The joining surface SEt1 has a region SER1 to which the juncture 12B1 of the wire 12 is joined, a region SER2 to which the juncture 12B2 of the wire 12 is joined, and a region SER3 between the region SER1 and the region SER2. The width WH3 of the region SER3 is smaller than the width WH1 of the region SER1 and the width WH2 of the region SER2.SELECTED DRAWING: Figure 10 【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】一実施の形態による半導体装置は、半導体チップの絶縁膜に形成された開口部１３Ｈ１において一つの接合面ＳＥｔ１の複数の箇所において接合されるワイヤ１２を有している。また、半導体装置は、接合面ＳＥｔ１に接するように上記半導体チップおよびワイヤ１２を封止する封止体を有している。接合面ＳＥｔ１は、ワイヤ１２の接合部１２Ｂ１が接合される領域ＳＥＲ１、ワイヤ１２の接合部１２Ｂ２が接合される領域ＳＥＲ２、および領域ＳＥＲ１と領域ＳＥＲ２との間にある領域ＳＥＲ３を有している。領域ＳＥＲ３の幅ＷＨ３は、領域ＳＥＲ１の幅ＷＨ１および領域ＳＥＲ２の幅ＷＨ２より小さい。【選択図】図１０