METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING PHOTOMASK, PHOTOMASK, AND PHOTOMASK METAL TARGET

SOLUTION: A photomask blank comprises a transparent substrate, and a silicon containing film and a chromium containing film contacting each other, or a chromium-containing film contacting the transparent substrate. The silicon-containing film is composed of a silicon-containing material selected from silicon, a silicon compound composed of silicon and one or more light elements selected from oxygen, nitrogen, and carbon, and a transition metal silicon compound composed of one or more transition metals selected from titanium, vanadium, cobalt, nickel, zirconium, niobium, molybdenum, hafnium, tantalum, and tungsten, silicon, and one or more light elements selected from oxygen, nitrogen, and carbon. The chromium-containing film is composed of a chromium-containing material. The chromium-containing film is formed by spattering using a chromium metal target having a rate of content of silver of 1 mass ppm or less.EFFECT: Generation of defects of a film containing silicon is reduced even when repeatedly using a photomask for pattern exposure by ArF excimer light.SELECTED DRAWING: Figure 1 【解決手段】透明基板と、互いに接するケイ素含有膜及びクロム含有膜又は透明基板と接するクロム含有膜とを含み、ケイ素含有膜が、ケイ素のみ、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の軽元素とからなるケイ素化合物、及びチタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル及びタングステンから選ばれる１種以上の遷移金属と、ケイ素と、酸素、窒素及び炭素から選ばれる１種以上の軽元素とからなる遷移金属ケイ素化合物から選ばれるケイ素含有材料、クロム含有膜が、クロム含有材料で構成されたフォトマスクブランクのクロム含有膜を、銀の含有率が１質量ｐｐｍ以下であるクロム金属ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。【効果】ＡｒＦエキシマレーザー光などによるパターン露光に、フォトマスクを繰り返して用いた場合であっても、ケイ素を含有する膜の欠陥の発生が低減される。【選択図】図１