SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device hardly causing corrosion of titanium nitride forming an anti-reflection film even when a silicon oxide film is provided on the anti-reflection film made of titanium nitride and with a small number of processes in manufacturing, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A semiconductor device 10 comprises a substrate 1, a wiring 6 provided on the substrate 1, a titanium nitride film 7 provided on the wiring 6. an oxide film 3 provided on the titanium nitride film 7, and a silicon nitride film 4 provided on the oxide film 3. A pad part 8 through which the wiring 6 is exposed is formed in a position which is inside the third opening 93 formed in the oxide film 3 in a plan view and in which the first opening 91 formed in the silicon nitride film 4 and the second opening 92 formed in the titanium nitride film 7 overlap in the plan view. The silicon nitride film 4 is formed in contact with the titanium nitride film 7 arranged inside the third opening 93 in the plan view.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの腐食が生じにくく、製造における工程数も少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、基板１上に設けられた配線６と、配線６上に設けられた窒化チタン膜７と、窒化チタン膜７上に設けられた酸化膜３と、酸化膜３上に設けられたシリコン窒化膜４とを有し、シリコン窒化膜４に形成された第１開口部９１と窒化チタン膜７に形成された第２開口部９２とが平面視で重なる位置であって、酸化膜３に形成された第３開口部９３の平面視内側の位置に、配線６が露出されてなるパッド部８が形成され、第３開口部９３の平面視内側に配置された窒化チタン膜７上に接してシリコン窒化膜４が形成されている半導体装置１０とする。【選択図】図１