METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a SiC single crystal, capable of stably holding a seed crystal substrate on a seed crystal holding shaft to grow a high quality SiC single crystal.SOLUTION: The method for manufacturing a SiC single crystal, capable of contacting a seed crystal substrate held on the lower end surface of a seed crystal holding shaft to a Si-C solution having a temperature gradient decreasing a temperature toward the surface from the inside to grow the SiC single crystal comprises: preparing sheet-like graphite; exposing the sheet-like graphite to at least one of a high temperature atmosphere and a reduced pressure atmosphere to vaporize water in the sheet-like graphite; bonding the seed crystal substrate on the lower end surface of the seed crystal holding shaft using an adhesive so as to sandwich the sheet-like graphite exposed to the atmosphere therebetween; and heating and curing the adhesive.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】種結晶保持軸に種結晶基板を安定して保持し、高品質なＳｉＣ単結晶を成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するＳｉ−Ｃ溶液に、種結晶保持軸の下端面に保持した種結晶基板を接触させてＳｉＣ単結晶を結晶成長させる、ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、シート状黒鉛を用意すること、シート状黒鉛を、高温雰囲気及び減圧雰囲気の少なくとも一方の雰囲気に暴露して、シート状黒鉛中の水分を気化させること、接着剤を用いて、種結晶保持軸の下端面に、雰囲気に暴露したシート状黒鉛を間に挟むように、種結晶基板を接着すること、並びに熱処理を行って接着剤を硬化させること、を含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。【選択図】図７