MOSFET

PROBLEM TO BE SOLVED: To optimize a p-type impurity concentration profile in a floating region.SOLUTION: A floating region has a high concentration region and a low concentration region along a thickness direction of a SiC substrate. A p-type impurity concentration in the low concentration region is lower than the p-type impurity concentration in the high concentration region. The high concentration region contacts the low concentration region between a bottom surface of a trench and the low concentration region. When the p-type impurity concentration in the floating region is drawn on a graph along the thickness direction of the SiC substrate, a folding point or an inflection point appears in a boundary between the high concentration region and the low concentration region in the graph. And p-type impurity content included in the low concentration region is more than or equal to n-type impurity content included in a corresponding range of a drift region.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】 フローティング領域におけるｐ型不純物の濃度プロファイルを最適化する。【解決手段】 フローティング領域は、ＳｉＣ基板の厚み方向に沿って、高濃度領域と低濃度領域とを有する。低濃度領域におけるｐ型不純物の濃度は、高濃度領域におけるｐ型不純物の濃度よりも低い。高濃度領域は、トレンチの底面と低濃度領域との間において、低濃度領域に接している。フローティング領域におけるｐ型不純物の濃度を、ＳｉＣ基板の厚み方向に沿ってグラフ化したときに、そのグラフには高濃度領域と低濃度領域との間の境界において屈曲点又は変曲点が現れる。また、低濃度領域に含まれるｐ型不純物の含有量は、ドリフト領域の対応する範囲に含まれるｎ型不純物の含有量以上である。【選択図】図４