SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of maintaining data retention capability while improving an operation speed at writing and eliminating data of a memory cell.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment has a memory cell. A gate insulating film of the memory cell has a first depression part and a second depression part. In a first direction from a source region toward a drain region, the first depression part has a first end at the drain region side, and a second end opposed to the first end, and the second depression part has a third end at the drain region side and a fourth end opposed to the third end. A distance between the first end and the second end is longer than that between the third end and the fourth end. The first end is arranged at the source region side from the third end in the first direction.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】メモリセルのデータ書き込み時及びデータ消去時の動作速度を向上しつつデータ保持能力を維持することのできる半導体装置の提供。【解決手段】実施形態の半導体装置はメモリセルを有する。メモリセルのゲート絶縁膜は、第１の窪み部と第２の窪み部とを有する。ソース領域からドレイン領域に向かう第１方向において、前記第１の窪み部は、前記ドレイン領域側の第１の端と前記第１の端に対向する第２の端とを有し、前記第２の窪み部は、前記ドレイン領域側の第３の端と前記第３の端に対向する第４の端とを有する。前記第１の端と前記第２の端との距離は、前記第３の端と前記第４の端との距離より長い。前記第１の端は、前記第３の端よりも前記第１の方向において前記ソース領域側に配置される。【選択図】図１