SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING DATA STORAGE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor structure and a method for forming the same.SOLUTION: A semiconductor structure comprises: a substrate; a gate structure formed over the substrate; a first source/drain structure and a second source/drain structure formed in the substrate adjacently to the gate structure; a first dielectric layer which is formed on the substrate, does not cover the gate structure but covers the first source/drain structure; a second dielectric layer which is formed over the substrate and covers the gate structure; a first conductive structure which is formed in the first dielectric layer and second dielectric layer and is in direct contact with the first source/drain structure; and a second conductive structure which is formed over the second source/drain structure in the first dielectric layer and the second dielectric layer. The second conductive structure extends into the first dielectric layer while penetrating the second dielectric layer, and a part of the first dielectric layer is arranged under the second conductive structure and between the second conductive structure and the second source/drain structure.SELECTED DRAWING: Figure 1D 【課題】半導体構造とその形成方法を提供する。【解決手段】基板と、基板の上に形成されたゲート構造と、基板の中でゲート構造に隣接して形成された、第一ソース／ドレイン構造、および第二ソース／ドレイン構造と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆せず、第一ソース／ドレイン構造を被覆する第一誘電層と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆する第二誘電層と、第一誘電層および第二誘電層の中に形成されて、第一ソース／ドレイン構造と直接接触した第一導電構造と、第一誘電層および第二誘電層の中の、第二ソース／ドレイン構造の上に形成された第二導電構造とを備え、第二導電構造は、第二誘電層を貫通して第一誘電層の中まで延びており、第一誘電層の一部は、第二導電構造の下で、かつ第二導電構造と第二ソース／ドレイン構造との間に配置されている。【選択図】図１Ｄ